2021年中國光伏產業鏈主要環節多晶硅、硅片、電池、組件產量分別達到50.6萬噸、226.6GW、197.9GW、181.8GW，產量全球占比超過70%，光伏新增裝機54.88GW，連續9年全球。工信部下一步將加強公共服務保障，持續優化產業發展環境，支持行業協會等建設，加強產融合作，支持光伏產業發展。

硅具有優良的半導體電學性質。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350厘米2/伏·秒，空穴遷移率為480厘米2/伏·秒。本征電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·厘米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·厘米的寬廣范圍內，能滿足制造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數載流子壽命較長,在幾十微秒至1毫秒之間。

硅是地殼上豐富的元素半導體, 性質而工藝技術比較成熟,已成為固態電子器件的主要原料。為適應超大規模集成電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分布) 的硅單晶制備技術正在發展。雖然在超速集成電路方面砷化鎵材料表現出的性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各種晶體三極管、尤其是功率器件制造方面仍是主要的材料。無定形硅可能成為同單晶硅并列的重要硅材料。無定形硅和多晶硅太陽電池的成功將使硅材料的消耗量急劇增加。