多畫面全彩LED拼接圖像處理器,單機(jī)多同時(shí)可支持16張不同分辨率的發(fā)射卡,單機(jī)高可以支持30720*1080 LED點(diǎn)陣。多臺(tái)機(jī)器級(jí)聯(lián)可以實(shí)現(xiàn)無(wú)限幅度的LED點(diǎn)陣實(shí)時(shí)動(dòng)態(tài)顯示。 可以任意配置發(fā)射卡進(jìn)行LED點(diǎn)陣堆砌，可以自由選擇灰度級(jí)數(shù)。可以任意設(shè)置單個(gè)LED發(fā)射卡的輸出內(nèi)容點(diǎn)陣。

超大場(chǎng)景顯示 顯示條件：多張發(fā)射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號(hào)情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號(hào)、HDSDI信號(hào)（選配）。 實(shí)現(xiàn)功能：選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據(jù)用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，具體為： A．滿屏模式 輸入的信號(hào)通過(guò) LED圖像拼接處理器，在整個(gè)LED屏體上滿屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號(hào)的比例不一致時(shí)，畫面將出現(xiàn)自動(dòng)拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應(yīng)用于背景影像內(nèi)容的顯示； B．等比模式 輸入的信號(hào)通過(guò) LED圖像拼接處理器時(shí)，根據(jù)輸入信號(hào)的比例格式，等比例在整個(gè)LED屏體上。畫面等比顯示時(shí)， LED屏體的上下或者左右會(huì)因?yàn)闆](méi)有內(nèi)容顯示而曾現(xiàn)黑色。該模式往往應(yīng)用于人像顯示或者領(lǐng)導(dǎo)講話的場(chǎng)景內(nèi)容。 C．全屏等比模式 輸入的信號(hào)通過(guò)LED圖像拼接處理器時(shí)，根據(jù)輸入信號(hào)的比例以及屏體的顯示點(diǎn)陣分布情況，將輸入的內(nèi)容采用像素抓取技術(shù)，截取與LED屏體比例一致的顯示，在整個(gè)LED屏體上放大顯示。該模式應(yīng)用于對(duì)現(xiàn)場(chǎng)情景需要展現(xiàn)的內(nèi)容；

早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光（λp=650nm），在驅(qū)動(dòng)電流為20 毫安時(shí)，光通量只有千分之幾個(gè)流明，相應(yīng)的發(fā)光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產(chǎn)生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發(fā)紅光、黃光的GaAlInP和發(fā)綠、藍(lán)光的GaInN兩種新材料的開(kāi)發(fā)成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區(qū)（λp=615nm）的光效達(dá)到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區(qū)域（λp=530nm）的光效可以達(dá)到50流明/瓦。

GaN芯片發(fā)藍(lán)光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍(lán)光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射，峰值550nm。藍(lán)光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍(lán)光部分被熒光粉吸收，另一部分藍(lán)光與熒光粉發(fā)出的黃光混合，可以得到得白光。現(xiàn)在，對(duì)于InGaN/YAG白色LED，通過(guò)改變YAG 熒光粉的化學(xué)組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

近幾年,白光LED的研發(fā)成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發(fā)表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產(chǎn)生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅(qū)動(dòng)于350mA下;美國(guó)LED大廠Cree公司宣布,其白光發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)每瓦161lm/W.可見(jiàn),白光LED在高發(fā)光效率,高照明方面有著誘人的前景.