超大場景顯示 顯示條件：多張發射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現功能：選擇其中一路在超大分辨率LED屏體上顯示。根據用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，具體為： A．滿屏模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器，在整個LED屏體上滿屏顯示。 如果LED拼接的顯示比例與輸入信號的比例不一致時，畫面將出現自動拉伸或者壓縮等變形。該模式往往應用于背景影像內容的顯示； B．等比模式 輸入的信號通過 LED圖像拼接處理器時，根據輸入信號的比例格式，等比例在整個LED屏體上。畫面等比顯示時， LED屏體的上下或者左右會因為沒有內容顯示而曾現黑色。該模式往往應用于人像顯示或者領導講話的場景內容。 C．全屏等比模式 輸入的信號通過LED圖像拼接處理器時，根據輸入信號的比例以及屏體的顯示點陣分布情況，將輸入的內容采用像素抓取技術，截取與LED屏體比例一致的顯示，在整個LED屏體上放大顯示。該模式應用于對現場情景需要展現的內容；

多路信號同步實時顯示 顯示條件：多張發射卡支持的任意幅度超寬、超大LED顯示屏； 信號情況：多路DVI或者RGB、VGA、視頻信號、HDSDI信號（選配）。 實現功能：選擇其中多路在超大分辨率LED屏體上同時顯示。

早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

90年代初，發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在紅、橙區（λp=615nm）的光效達到100流明/瓦，而后者制成的LED在綠色區域（λp=530nm）的光效可以達到50流明/瓦。

近幾年,白光LED的研發成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發光二極管實現每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發光效率,高照明方面有著誘人的前景.

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