實時多通道并行圖像處理,專利技術的全硬件架構,無運動拖尾和鋸齒；　單機高可以支持30720*1080LED等效點陣,多機并聯可以驅動無限幅度LED點陣； APSP技術,自定義圖像輸出的大小以及輸出位置。 具有值機功能，即可以通過監視器時時觀看LED大屏幕的狀態(選配)。 幀同步技術，各輸出圖像間無錯位和延遲； 多窗口控制疊加顯示技術,實現任意信號的窗口疊加、漫游、縮放以及無縫切換； 針對LED顯示領域的多種特殊顯示驅動模式； 所見即所得軟件操控界面，無需復雜的窗口預設操作； 16種不同模式場景預設； 預留LED發送卡槽位，系統高度集成； 高可靠性和穩定性，7天 / 24小時應用。 LED圖像處理器，內部無操作系統支持，上電即可工作，穩定性高。 16種不同模式場景預設； 預留LED發送卡槽位，系統高度集成； 高可靠性和穩定性，7天 / 24小時應用。 LED圖像處理器，內部無操作系統支持，上電即可工作，穩定性高。

根據用戶的需求，可以采用不同的顯示模式，包括窗口顯示、疊加、漫游等，具體為： A．疊加模式 以主采集信號為背景在LED屏體上顯示，其他信號通過子采集卡以畫面疊加方式開窗顯示； B．分屏模式 多路信號通過 LED拼接圖像處理器后，分別輸送給每張發射卡顯示不同的畫面內容；處理的信號路數與發射卡的路數相同。 C．主題模式 多路信號通過 LED拼接圖像處理器后，對于某路需要特別的信號，可以分送給多張發射卡顯示一大幅的畫面，其他信號別輸送給每張發射卡立顯示；

早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP，發紅光（λp=650nm），在驅動電流為20 毫安時，光通量只有千分之幾個流明，相應的發光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED產生綠光（λp=555nm），黃光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。

GaN芯片發藍光（λp=465nm，Wd=30nm），高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發后發出黃色光發射，峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中，覆蓋以混有YAG的樹脂薄層，約200-500nm。 LED基片發出的藍光部分被熒光粉吸收，另一部分藍光與熒光粉發出的黃光混合，可以得到得白光。現在，對于InGaN/YAG白色LED，通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節熒光粉層的厚度，可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。

表一列出了目前白色LED的種類及其發光原理。從表中也可以看出某些種類的白色LED光源離不開四種熒光粉：即三基色稀土紅、綠、藍粉和石榴石結構的黃色粉，在未來較被看好的是三波長光，即以無機紫外光晶片加R.G.B三顏色熒光粉，用于封裝LED白光，預計三波長白光LED有商品化的機機會。但此處三基色熒光粉的粒度要求比較小，穩定性要求也高，具體應用方面還在探索之中。

近幾年,白光LED的研發成果：2008年9月Philips Lumileds與Osram Opto Semiconductors各發表了140.1 lm/W與136 lm/W且各產生138 lm與155 lm(lumen，流明)，他們均使用1mm大小的芯片并驅動于350mA下;美國LED大廠Cree公司宣布,其白光發光二極管實現每瓦161lm/W.可見,白光LED在高發光效率,高照明方面有著誘人的前景.