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35000.00元250度光刻膠無塵烘箱 MES系統無塵烘箱 智能聯網烘箱 工廠系統，選擇烘烤工藝，啟動/停止烘箱； 2.>?工廠系統根據，過程判斷待烤料件工位，記錄反饋工位信息； 3.>?系統控制開/06月18日 -
1666.00元1.生產，正性，負性，光刻膠，PR，安智AZ系列，AZ6112，AZ6130，AZ1500，AZ 6112，AZ 6130，AZ 3100，AZ 50XT，AZ 10XT，AZ GXR-601，AZ 5200，AZ 5214E，AZ P4620，AZ P4400，AZ P4210，AZ P..01月07日
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2000.00元1. 生產 ， 正性 ， 負性 ， 光刻膠 ， PR ， 安智 AZ 系列 ， AZ6112 ， AZ6130 ， AZ1500 ， AZ 6112 ， AZ 6130 ， AZ 3100 ， AZ 50XT ..01月06日
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廈門光刻膠 美國光刻膠?類型?：電鍍光刻膠?深寬比?：具有高深寬比特性（參考同類產品NR9-3000PY的厚度范圍0.1-200μm）?耐刻蝕性?：的耐刻蝕性能，耐高溫?電鍍性能?：在酸性和堿性鍍液中具有的..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠?耐高溫性能?：可耐受180℃高溫，適用于回流焊等高溫工藝環節??化學穩定性?：對濕法腐蝕和深硅刻蝕工藝具有強抗性，確保圖形轉移精度??粘附性優化?：配方改進提升與基板..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠作為耐溶劑耐水型光刻膠，KMPR系列具備良好的阻燃特性，符合電子元器件制造的安全要求?耐腐蝕性能該系列光刻膠表現出的耐化學腐蝕能力，能夠承受半導體制造過程中各種..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠特性?：低溫儲存、薄膠工藝、質量?應用?：適用于高性價比要求的半導體制造工藝金屬剝離工藝、MEMS器件制造、高分辨率金屬化(<0.25μm)?工藝優勢?：可實現雙層光刻膠層..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠?耐高溫性能?：適用于高溫工藝環境?耐腐蝕性?：在化學腐蝕環境下保持穩定?介電性能?：作為優良的介電材料使用?工藝穩定性?：適合半導體行業精密制造要求?半導體制造中..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠類型?：電子束光刻膠?物理狀態?：透明清澈液體?固化特性?：深層固化能力?分辨率?：適用于電子束光刻工藝?適用工藝?：電子束光刻(EBL)技術?曝光方式?：電子束直接寫入?..09月09日
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1500.00元名稱：光刻膠抽吸液瓶蓋 材質：PTFE/PFA/PVDF/PP或其他材質，接觸光刻膠的部件全部采用日本進口超純PFA接頭和軟管 作用：可通過此產品可以很好的進行瓶內光刻膠的抽吸功能 要求：非標定09月09日
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1500.00元默克安智1加侖桶用光刻膠瓶蓋轉接頭 抽吸液接頭材質：PTFE/PFA/PVDF/PP或其他材質，接觸光刻膠的部件全部采用日本進口超純PFA接頭和軟管 作用：可通過此產品可以很好的進行瓶內光刻膠的抽09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠AR 300-80new是Microchem公司生產的一種光刻膠增粘劑，專為增強光刻膠與基材的附著力而設計。該產品在電子元器件制造中廣泛應用，特別是在半導體制造的光刻工藝中，可..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠?耐腐蝕性?：具有耐干腐蝕特性（同類產品ZEP547A參數參考）?分辨率?：作為電子束膠通常可達納米級分辨率?抗蝕刻性?：適用于后續刻蝕工藝?旋涂條件?：根據同類產品推測，..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠NR4-8000P是FUTURREX系列的一種負性光刻膠，專為刻蝕工藝和半導體制造設計。該產品具有高深寬比特性，適用于厚膜光刻工藝，在半導體制造、微納結構制作和特殊封裝工藝中..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠ADP增粘劑是一種改性聚酯類化合物附著力促進劑，專為增強光刻膠與基材的附著力而設計。該產品由Microchem公司生產，廣泛應用于電子束光刻工藝中，可顯著提高光刻膠與各..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠?附著力特性?：NR9系列光刻膠具有?增強的附著力?，特別適用于濕刻和電鍍應用在電鍍和刻蝕工藝中表現出?的粘附力?，能有效防止光刻膠剝離25°C環境下仍保持良好剝離性能，..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠KMPR系列光刻膠是一種專為耐溶劑和耐水性能優化的光刻膠產品，廣泛應用于半導體制造和微電子加工領域。該系列光刻膠以其的化學穩定性和工藝性能著稱，特別適用于需要高..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠?標準型BOE?：6:1配比：蝕刻速率約10 nm/s10:1配比：平衡蝕刻速率與選擇性20:1配比：蝕刻速率約2-3 nm/s，SiO?/Si選擇比>100:1?功能增強型?：含表面活性劑配方：改善..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠對SU-8等厚膜光刻膠溶解能力強對基材兼容性好，損傷小可去除灰化后的光刻膠需配合IPA沖洗去除殘留應用領域半導體制造中的光刻膠去除微電子器件加工微納結構制作科研實驗..09月09日
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廈門光刻膠 美國光刻膠負性光敏特性，曝光區域發生交聯反應形成不溶性網狀結構高深寬比特性，光刻后能達到非常好的陡直度基本垂直于襯底表面，適合精細結構加工?工藝性能?：需要配合HMDS增粘..09月09日
黃頁88網提供2025最新光刻膠價格行情，提供優質及時的光刻膠圖片、多少錢等信息。批發市場價格表的產品報價來源于共3家光刻膠批發廠家/公司提供的13247條信息匯總。
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