采用LED光源進行照明,取代耗電的白熾燈,然后逐步向整個照明市場進軍,將會節約大量的電能。近期,白色LED已達到單顆用電超過1瓦,光輸出 25流明,也增大了它的實用性。
改變電流可以變色,發光二極管方便地通過化學修飾方法,調整材料的能帶結構和帶隙,實現紅黃綠藍橙多色發光。如小電流時為紅色的LED,隨著電流的增加,可以依次變為橙色,黃色,后為綠色。
LED的價格比較昂貴,較之于白熾燈,一只LED的價格就可以與幾只白熾燈的價格相當,而通常每組信號燈需由上300~500只二極管構成。
早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP,發紅光(λp=650nm),在驅動電流為20 毫安時,光通量只有千分之幾個流明,相應的發光效率約0.1流明/瓦。
70年代中期,引入元素In和N,使LED產生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。
到了80年代初,出現了GaAlAs的LED光源,使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。
90年代初,發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
GaN芯片發藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發后發出黃色光發射,峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹脂薄層,約200-500nm。 LED基片發出的藍光部分被熒光粉吸收,另一部分藍光與熒光粉發出的黃光混合,可以得到得白光。現在,對于InGaN/YAG白色LED,通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。
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