燒結銀AS9376燒結銀的導電率? ≥1×10? S/cm（燒結后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機械應力（滿足芯片堆疊需求）

無壓燒結銀AS9376解決方案：
?低溫燒結工藝：在180℃下形成致密銀層，密度接近理論值（10.5 g/cm3），孔隙率<2%。
?高導電性：電阻率低至1.6 μΩ·cm，支持高頻信號傳輸（帶寬提升30%）。
假設?案例：用于NVIDIA的H100 GPU 3D堆疊，互連密度達10?/cm2，功耗降低15%。

燒結銀AS9376的技術優勢總結
?工藝自由度：
AS9376無需外部壓力，適配現有光刻、絲網印刷等HPC產線工藝。
?性能平衡：
導電率與熱導率（≥600 W/m·K）兼顧，支持高頻高速信號傳輸與散熱。

燒結銀AS9376的長期穩定性：
抗離子遷移設計（添加Al?O?納米顆粒）使85℃/85%RH下電阻漂移率<5%/1000小時。
?成本效益：
銀包銅替代方案（Cu含量≤10%）可降低銀用量30%，材料成本下降25%。

燒結銀AS9376的未來擴展方向
?異質集成：
結合ALD銀膜（厚度~0.3 nm）構建三維互連網絡，實現低電阻（<10?? Ω·cm2）。
?智能化材料：
引入形狀記憶聚合物（SMP）改性銀漿，實現微裂紋自修復（修復效率>90%）。

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