顯示屏幕的對比度影響著視覺成像效果,高對比度,提升畫面清晰度、顏色鮮亮,并有效地提升圖像畫質的細節質感、清晰程度、灰度等級。此外,對比度還對動態視頻的分辨轉換帶來一定影響,高對比度可使肉眼更易于分辨動態圖中的明暗轉換過程。
適用性:很小,每個單元LED小片是3-5mm的正方形,所以可以制備成各種形狀的器件,并且適合于易變的環境。
早應用半導體P-N結發光原理制成的LED光源問世于20世紀60年代初。當時所用的材料是GaAsP,發紅光(λp=650nm),在驅動電流為20 毫安時,光通量只有千分之幾個流明,相應的發光效率約0.1流明/瓦。 70年代中期,引入元素In和N,使LED產生綠光(λp=555nm),黃光(λp=590nm)和橙光(λp=610nm),光效也提高到1流明/瓦。 到了80年代初,出現了GaAlAs的LED光源,使得紅色LED的光效達到10流明/瓦。 90年代初,發紅光、黃光的GaAlInP和發綠、藍光的GaInN兩種新材料的開發成功,使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年,前者做成的LED在紅、橙區(λp=615nm)的光效達到100流明/瓦,而后者制成的LED在綠色區域(λp=530nm)的光效可以達到50流明/瓦。
目前已商品化的種產品為藍光單晶片加上YAG黃色熒光粉,其好的發光效率約為25流明/瓦, YAG多為日本日亞公司的進口,價格在2000元/公斤;第二種是日本住友電工亦開發出以ZnSe為材料的白光LED,不過發光效率較差。
GaN芯片發藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫燒結制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發后發出黃色光發射,峰值550nm。藍光 LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹脂薄層,約200-500nm。 LED基片發出的藍光部分被熒光粉吸收,另一部分藍光與熒光粉發出的黃光混合,可以得到得白光。現在,對于InGaN/YAG白色LED,通過改變YAG 熒光粉的化學組成和調節熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。
廣泛應用于:廣場、國慶慶典、休閑廣場、大型娛樂廣場、繁華商貿中心、廣告信息發布牌、商業街、火車站、候車室、演藝中心、電視直播現場、展覽場館、演唱會現場等場所。
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