主要用于對半導體硅晶圓、化合物半導體晶圓（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半導體晶圓（LiTaO3 等）等半導體晶圓進行、精密劃切，實現芯片單體化。
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劃片刀又稱金剛石劃片刀，包含三個主要元素：金剛石顆粒的大小、密度和粘結材料。 金剛石顆粒在晶圓的切割過程中起著研磨劑的作用，通常是由CBN (Cubic Boron Nitride)合成而來。 金剛石顆粒尺寸從２um到8um之間變化。 為達到更好的切割質量，通常選用帶棱角的金剛石顆粒。 金剛石顆粒的密度代表著金剛石顆粒占金剛石刀片的體積比。
劃片刀的選擇一般來說要兼顧切割質量、切割刀片壽命和生產成本。金剛石顆粒尺寸影響劃片刀的壽命和切割質量。較大的金剛石顆粒度可以在相同的刀具轉速下，磨去更多的硅材料，因而刀具的壽命可以得到延長。然而，它會降低切割質量（尤其是正面崩角和金屬／ILD得分層）。所以，對金剛石顆粒大小的選擇要兼顧切割質量和制造成本。
金剛石顆粒的密度對切割質量的控制也十分關鍵。對于相同的金剛石顆粒大小但具有不同密度的刀片，劃片刀每一個旋轉周期移去的硅材料是相同的，但是，平均到每一個金剛石顆粒移去的硅材料的量是不同的。
因為硅材料的脆性，機械切割方式會對晶圓的正面和背面產生機械應力，結果在芯片的邊緣產生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會降低芯片的機械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續的封裝工藝中或在產品的使用中會進一步擴散，從而可能引起芯片斷裂，導致電性失效。另外，如果崩角進入了用于保護芯片內部電路、防止劃片損傷的密封環（Seal Ring）內部時，芯片的電氣性能和可靠性都會受到影響。
封裝工藝設計規則限定崩角不能進入芯片邊緣的密封圈。
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顆粒越大，刀片壽命越長；顆粒越小，刀片壽命越短。 顆粒集中度的影響 顆粒集中度對劃片質量也非常關鍵。 關于相同的金剛石顆粒大小會消費出不同集中度的刀片，劃片效果也會有很大差別。 目前，劃片刀常見有5種規格，分別是：50、70、90、110、130。 依據實踐測試得出，高集中度的金剛石顆粒，劃片阻力小，劃片速度快，，還能夠延長劃片刀的壽命，減少晶圓正面崩缺
高密度的金剛石顆?？梢匝娱L劃片刀的壽命，同時也可以減少晶圓背面崩角。而低密度的金剛石顆粒可以減少正面崩角。硬的粘結材料可以更好地“固定”金剛石顆粒，因而可以提高劃片刀的壽命，而軟的粘結材料能夠加速金剛石顆粒的“自我鋒利”（Self Sharpening）效應，令金剛石顆粒保持尖銳的棱角形狀，因而可以減小晶圓的正面崩角或分層，但代價是劃片刀壽命的縮短。刀鋒的長度應根據晶圓的厚度，承載薄膜的厚度，大允許的崩角的尺寸來進行定義，刀鋒不能選得過長，因為長的刀鋒會在切割時引起刀片的擺動，會導致較大的崩角。
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