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地坪拋光液 |
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CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：拋光使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
拋光劑使用注意事項：使用前將拋光織物用清水濕透，避免摩擦發熱；啟動拋光盤后將拋光劑輕搖后倒置噴出；噴灑拋光劑時，應以拋光盤中心為圓心沿半徑方向噴出，3-5秒即可。新織物噴灑時間應相應延長，以使織物有更好的磨拋能力；拋光過程中不斷加入適量的清水即可。
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