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地坪拋光液 |
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拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
氧化鋁拋光液的硬度高，穩定性好，納米級的氧化鋁適用于光學鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、晶體表面等的精密拋光，應用相當廣泛。當前，以高亮度GaN基藍光LED為核心的半導體照明技術在照明領域引起了很大的轟動，并成為全球半導體領域研究的熱點。但GaN很難制備，在其它襯底晶片上外延生長薄膜，如藍寶石晶片或碳化硅晶片，因此晶片的拋光也成為關注的焦點。
近年來，國際上采用了一種新的工藝，即用Al2O3拋光液一次完成藍寶石、碳化硅晶片的研磨和拋光，大大提高拋光效率。不過，由于納米α-氧化鋁的硬度很高，因此拋光時易對工件表面造成嚴重的損傷；而且納米氧化鋁的表面能比較高，粒子易團聚，也會造成拋光工件的劃痕、凹坑等表面缺陷。近年來對氧化鋁拋光液的研究主要集中在納米磨料制備、氧化鋁顆粒表面改性、氧化鋁拋光液混合應用等方面。
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